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    Kioxia 將于 IEDM 2024 揭曉新興存儲器技術(shù)
    來源: 文傳商訊  2024-10-24
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    展示面向 AI、計算和存儲系統(tǒng)的創(chuàng)新應(yīng)用

    東京--(美國商業(yè)資訊)-- Kioxia Corporation 是全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,公司今日宣布,其研究論文已被 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 2024 接受發(fā)表。IEDM 2024 是享譽全球的國際盛會,將于 12 月 7 日 至 11 日 在美國舊金山舉行。

    Kioxia 致力于半導(dǎo)體存儲器的研發(fā),這對于人工智能的進步和社會數(shù)字化轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。除了其最先進的 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH™ 之外,Kioxia 在新興存儲器解決方案的研究方面也卓有成效。公司不斷努力,以創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。

    現(xiàn)有的計算系統(tǒng)利用 DRAM(一種主要的存儲器,使 CPU 能夠快速處理數(shù)據(jù))以及閃存來存儲海量數(shù)據(jù)。Kioxia 正引領(lǐng)存儲級存儲器 (SCM) 的研發(fā),SCM 是一種位于半導(dǎo)體存儲器層級結(jié)構(gòu)中 DRAM 和閃存之間的存儲器解決方案,旨在以比 DRAM 更大的容量和比閃存更高的速度處理數(shù)據(jù)。

    在 IEDM 上,Kioxia 將揭曉針對這三種半導(dǎo)體存儲器而定制的尖端技術(shù): (1) 一種利用氧化物半導(dǎo)體的新型 DRAM,重點是降低功耗,(2) 適用于更大容量 SCM 應(yīng)用的 MRAM,以及 (3) 具有更高比特密度和性能的新型 3D 閃存結(jié)構(gòu)。

    新興存儲器技術(shù):

    1. 氧化物半導(dǎo)體通道晶體管 DRAM (OCTRAM): 該技術(shù)由南亞科技和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開發(fā)。雙方開發(fā)了一種垂直晶體管,通過改進制造工藝增強了電路集成度。同時,通過利用氧化物半導(dǎo)體的特性提升晶體管性能,實現(xiàn)了極低的電流泄漏。這有望降低各種應(yīng)用的功耗,包括 AI、后 5G 通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

    論文標題:具有 4F2 架構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體通道晶體管 DRAM (OCTRAM)(論文編號:6-1)

    2. 高容量交叉點 MRAM 技術(shù): 該技術(shù)由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開發(fā)。通過該技術(shù),雙方結(jié)合適用于大容量的選擇器與磁性隧道結(jié)的單元技術(shù),并應(yīng)用交叉點型陣列的精細加工技術(shù),在 MRAM 最小的單元半間距 20.5 納米規(guī)模上實現(xiàn)了單元讀/寫操作。隨著存儲單元小型化,存儲器可靠性往往會下降。雙方利用選擇器瞬態(tài)響應(yīng)的新讀出方法,并降低讀取電路的寄生電容,開發(fā)出一種潛在的解決方案。該技術(shù)在 AI 和大數(shù)據(jù)處理方面具有實際應(yīng)用價值。

    論文標題:全球最小的 64 Gb 交叉點 MRAM 1Selector-1MTJ 單元的可靠存儲器操作和低讀取干擾率(論文編號:20-1)

    3. 采用水平單元堆疊結(jié)構(gòu)的下一代 3D 存儲器技術(shù): Kioxia 開發(fā)了一種新的 3D 結(jié)構(gòu)來提高可靠性并防止 NAND 型單元性能下降。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,堆疊層數(shù)增加通常會導(dǎo)致性能下降。與垂直排列 NAND 型單元的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比,新結(jié)構(gòu)通過水平堆疊 NAND 型單元。這種結(jié)構(gòu)允許以低成本實現(xiàn)高比特密度和高可靠性的 3D 閃存。

    論文標題:先進水平通道閃存的卓越可擴展性,適用于未來幾代 3D 閃存(論文編號:30-1)

    Kioxia 的使命是“用‘存儲器’提升世界”,旨在通過存儲器技術(shù)開創(chuàng)新時代,并將繼續(xù)推動研發(fā),支撐數(shù)字社會未來發(fā)展。

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    關(guān)于 Kioxia

    Kioxia 是全球存儲器解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月從Toshiba Corporation(1987年發(fā)明了NAND閃存)剝離出來。Kioxia 致力于憑借存儲器技術(shù)促進世界發(fā)展,該公司提供各種產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng),為客戶提供多樣化選擇,并基于存儲器技術(shù)創(chuàng)造價值,推動社會的發(fā)展。Kioxia 創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH™正在塑造存儲技術(shù)在高密度應(yīng)用領(lǐng)域(包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心)的未來。


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