產(chǎn)品拆解顯示惠普65W USB-C PD/PPS雙輸出電源適配器采用Transphorm SuperGaN® FET技術(shù)
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，其GaN技術(shù)已用于惠普的USB-C PD/PPS電源適配器。這一設(shè)計案例鞏固了Transphorm氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)技術(shù)在25瓦至350瓦的中低功率適配器領(lǐng)域的地位。
SuperGaN®技術(shù)的獨(dú)特之處
惠普電源適配器采用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG 650V GaN FET。該技術(shù)具備易設(shè)計性，兼具高性能和高可靠性，已成為Transphorm GaN器件的代名詞。
此外，Transphorm最近完成了超過1000億小時的現(xiàn)場可靠性數(shù)據(jù)統(tǒng)計，失效率(FIT)率小于0.05。這些統(tǒng)計數(shù)據(jù)涵蓋了廣泛的功率等級，覆蓋從25瓦到3.6千瓦的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用。
此前已經(jīng)證實(shí)，與較大的裸片（如175毫歐）增強(qiáng)型GaN器件相比，Transphorm的較小裸片（即240毫歐）SuperGaN FET在150℃時的導(dǎo)通電阻增加率較低(23%)，并且在50%和100%（滿載）功率下表現(xiàn)出更高的性能。這得益于該技術(shù)平臺的內(nèi)在優(yōu)勢。
Transphorm現(xiàn)場應(yīng)用和技術(shù)銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“這對Transphorm來說是一項重要的設(shè)計案例，因?yàn)榭蛻艨吹搅宋覀儗|(zhì)量、可靠性以及頂級性能的追求所帶來的好處。如今，諸如惠普這樣的頂級客戶也在接受我們的產(chǎn)品。我們的GaN FET適用于各種控制器，具有現(xiàn)成的集成式驅(qū)動器，因此便于設(shè)計和驅(qū)動。如今，隨著我們的產(chǎn)品持續(xù)在低功耗和高功率領(lǐng)域的不同市場中得到普及，設(shè)計和驅(qū)動便利性變得越來越重要�！�
關(guān)于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。
